Архив

Опубликованы статистические данные о ведущих пользователях международной патентной системы ВОИС за 2023 год

09.04.2024

Согласно статистическим данным Всемирной организации интеллектуальной собственности в 2023 г. ведущими пользователями международной патентной системы ВОИС стали китайская компания Huawei Technologies, корейская Samsung Electronics и американская Qualcomm.

Заявительская активность новаторов Индии в области патентов выросла почти на 50%, несмотря на умеренное снижение спроса на международную регистрацию прав интеллектуальной собственности (ИС) с использованием процедур ВОИС. Помимо Индии, единственными странами, показатели которых продолжают из года в год расти уже на протяжении трех лет, являются Республика Корея и Турция.

В условиях роста процентных ставок и экономической неопределенности число заявок, поданных по процедуре системы Договора ВОИС о патентной кооперации, впервые за последние 14 лет сократилось на 1,8%.

Число заявок в рамках международной системы товарных знаков снизилось на 7%, в то время как использование международной системы промышленных образцов, вопреки указанным тенденциям, выросло на 1% за счет расширения регистрационной активности Китая.

«В 2023 г. препятствием на пути развития инновационной деятельности стали повышение процентных ставок и экономическая неопределенность. Однако снижение темпов инфляции, прогнозируемое на 2024 г., и высокая активность Индии, Юго-Восточной Азии и др., может позволить бизнесу привлечь больше инвестиций в инновации, тем самым формируя предпосылки для восстановления показателей подачи заявок на регистрацию прав ИС ближе к концу этого года. Также долгосрочные тенденции указывают на то, что в условиях все большей глобализации и цифровизации экономики использование ИС неуклонно растет, охватывая все больше стран мира. На страны Азии сейчас приходится 55,7% международных патентных заявок, поданных по процедуре ВОИС, тогда как 10 лет назад этот показатель составлял 40,5%», – отметил Генеральный директор ВОИС Дарен Танг.

С более подробной информацией можно ознакомиться по ссылке.

Источник: Национальный центр интеллектуальной собственности.